S25FL256SDPNFB000
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S25FL256SDPNFB000

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S25FL256SDPNFB000
S25FL256SDPNFB000
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / 66
  • インターフェース帯域幅
    66 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FL-S
  • メモリ容量
    256 MBit
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 分類
    ISO 26262-ready
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～105 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Automotive

推奨
OPN
S25FL256SDPNFB000
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-WSON-8
パッケージ名 DFN-8 (002-18827)
梱包サイズ 676
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TW
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-WSON-8
パッケージ名 DFN-8 (002-18827)
梱包サイズ 676
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TW
ウェハ製造国
US
S25FL256SDPNFB000は256 MbのSPI NORフラッシュメモリで、インフィニオンの65 nm MIRRORBIT™技術とEclipseアーキテクチャを採用。シングル、デュアル、クワッドSPIマルチI/OやDDR読出しに対応し、SDRは最大133 MHz、DDRは最大80 MHz。2.7 V～3.6 Vコア、1.65 V～3.6 V I/O動作、ハイブリッドまたはユニフォームセクタ、10万回書換、20年保持、先進保護、AEC-Q100グレード1対応。

特長

  • MIRRORBIT™技術で2ビット/セル保存
  • Eclipseアーキ高速プログラム/消去
  • SPIマルチI/O：x1,x2,x4対応
  • DDRリードで高スループット
  • 256B/512Bページバッファ
  • ハイブリッド/ユニフォーム消去
  • 10万回以上の書換耐久性
  • 20年以上のデータ保持
  • 1024バイトOTP領域
  • 高度なセクタ保護(ASP)
  • 幅広いI/O電圧範囲に対応： 1.65 V - VCC
  • 動作温度–40°C～+125°C

利点

  • 高密度低コストストレージ
  • 高速読書でシステム高速化
  • 柔軟なインターフェース
  • DDR/QIOで高速データアクセス
  • 大容量バッファで効率向上
  • 多様な消去で移行容易
  • 頻繁な更新やコード保存に信頼
  • 長期データ保持で安心
  • OTPで機器認証と設定保護
  • セクタ保護で誤操作防止
  • 幅広い電圧で多用途対応
  • 広温度範囲で過酷環境対応
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ