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RoHS準拠
鉛フリー

S25FL256LAGNFM010

EA.
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S25FL256LAGNFM010
S25FL256LAGNFM010
EA.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2032
  • Density
    256 MBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • インターフェース帯域幅
    66 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FL-L
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ~ 125 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Automotive
OPN
S25FL256LAGNFM010
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 DFN-8 (002-18827)
包装サイズ 338
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 DFN-8 (002-18827)
包装サイズ 338
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
S25FL256LAGNFM010は256 Mb(32 MB)のSPI NORフラッシュメモリで、シングル、デュアル、クアッドI/O、QPI、DDR読出しに対応します。2.7 V~3.6 V電源で動作し、最大66 MBps(クアッドDDR)の高速読出し、256バイトページプログラムバッファ、4 KB・32 KB・64 KB・全チップの均一消去が可能です。産業・車載用途(AEC-Q100 Grade 1、最高+125°C)に適し、コードシャドウ、XIP、セキュアな組込ストレージに最適です。

特長

  • SPIシングル/デュアル/クワッドI/O
  • DDR読み出し対応
  • 256バイトページプログラムバッファ
  • 4 KBセクター一括消去
  • 10万回書き換え保証
  • 20年データ保持
  • セキュリティ領域とOTPロック
  • ディープパワーダウン
  • 2.7 V~3.6 V単一電源
  • –40°C~+125°C動作温度
  • SFDPパラメータ対応
  • プログラム/消去一時停止・再開

利点

  • 多様なMCUに柔軟対応
  • DDRで高速データ転送
  • 大容量バッファで高速書込
  • セクター/ブロック/全体消去対応
  • 頻繁な更新も高信頼
  • 長期データ保存が可能
  • 機密データを保護
  • 誤書き・誤消去を防止
  • 3 Vシステムに対応
  • 過酷環境下でも動作
  • 設定・互換性が容易
  • 重要操作を中断しない

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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