Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S25FL128SDPBHI210

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S25FL128SDPBHI210
S25FL128SDPBHI210
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    128 MBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / 66
  • インターフェース帯域幅
    66 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FL-S
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
S25FL128SDPBHI210
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TFBGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15534)
包装サイズ 3380
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TFBGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15534)
包装サイズ 3380
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S25FL128SDPBHI210は128 MbのSPIマルチI/O NORフラッシュメモリで、MIRRORBIT™技術とEclipseアーキテクチャにより高速プログラム・消去を実現します。コア電圧2.7 V～3.6 V、I/O電圧1.65 V～3.6 V、最大125°Cの産業・車載グレード対応。最大読出し速度80 MBps（Quad DDR）、10万回の書き換え、20年データ保持。1024バイトOTPと自動ECCを統合し、組込・車載用途で高いデータ安全性と完全性を実現します。

機能

  • MIRRORBIT™技術で2ビット/セル保存
  • Eclipseアーキ高速プログラム/消去
  • SPIマルチI/O：x1,x2,x4対応
  • DDRリードで高スループット
  • 256B/512Bページバッファ
  • ハイブリッド/ユニフォーム消去
  • 10万回以上の書換耐久性
  • 20年以上のデータ保持
  • 1024バイトOTP領域
  • 高度なセクタ保護(ASP)
  • コア電圧2.7-3.6 V、I/O1.65-3.6 V
  • 動作温度–40°C～+125°C

利点

  • 高密度低コストストレージ
  • 高速読書でシステム高速化
  • 柔軟なインターフェース
  • DDR/QIOで高速データアクセス
  • 大容量バッファで効率向上
  • 多様な消去で移行容易
  • 頻繁な更新やコード保存に信頼
  • 長期データ保持で安心
  • OTPで機器認証と設定保護
  • セクタ保護で誤操作防止
  • 幅広い電圧で多用途対応
  • 広温度範囲で過酷環境対応

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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