ITD50N04S4L-07
Active and preferred
RoHS対応

ITD50N04S4L-07

40 V, N-Ch, 12.4 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2

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ITD50N04S4L-07
ITD50N04S4L-07

製品仕様情報

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Austria, Malaysia
  • Currently planned availability until at least
    2030
  • ID (@25°C) (最大)
    50 A
  • IDpuls (最大)
    200 A
  • Ptot (最大)
    47 W
  • QG (typ @10V)
    25 nC
  • QG (typ @10V) (最大)
    33 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    7.2 mΩ
  • RthJC (最大)
    3.2 K/W
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V~2.2 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • パッケージ
    DPAK (PG-TO252-5)
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~175 °C
  • 技術
    OptiMOS™T2
  • 極性
    N
  • 発売年
    2013
  • 認定
    Automotive
OPN
ITD50N04S4L07ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

特長

  • Dual N-channel-Logic Level Common Drain
  • Enhancement mode
  • Automotive AEC Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green Product (RoHS compliant)
  • 100% Avalanche tested
  • PPAP Capable Device
ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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