Active and preferred
RoHS準拠

ISZ75DP15LM

P-channel MOSFETs in logic level, reducing design complexity in medium and low power applications
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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ISZ75DP15LM
ISZ75DP15LM
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    -5.1 A
  • IDpuls max
    -20.6 A
  • Ptot max
    50 W
  • QG (typ @10V)
    -22.9 nC
  • QG (typ @4.5V)
    -11.6 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    750 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    770 mΩ
  • VDS max
    -150 V
  • VGS(th)
    -1 V to -2 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3 x 3.3 FL
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    P
推奨
OPN
ISZ75DP15LMATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3.3 x 3.3
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3.3 x 3.3
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
OptiMOS™ P-channel MOSFETs 150 V in PQFN 3.3x3.3, targeted for battery management, load switch and reverse polarity protection applications, reducing design complexity in medium and low power applications. They offer easy interface to MCU, fast switching as well as avalanche ruggedness, suitable for high quality demanding applications. Available in logic level, featuring a wide RDS(on) range and improves efficiency at low loads.

機能

  • Available in 6 different packages
  • Wide RDS(on)range
  • Normal level & logic level availability
  • Optimized for a wide range applications
  • Availability from distribution partners

利点

  • Industry standard package
  • Ideal for high & low switching frequency
  • Avalanche ruggedness
  • Easy interface to MCU
  • Efficient at low loads,low Qf
  • Reduced design complexity
  • Energy efficiency

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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