ISZ113N10NM5LF2
Active and preferred
RoHS対応

ISZ113N10NM5LF2

OptiMOS™ 5 Single N-Channel Linear FET 100 V, 11.3 mΩ, 63 A in a PQFN 3.3x3.3 package
個.
在庫あり

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ISZ113N10NM5LF2
ISZ113N10NM5LF2
個.

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    63 A
  • QG (typ @10V)
    23 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    11.3 mΩ
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    2.3 V~3.9 V
  • VGS(th)
    3.1 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3 x 3.3
  • 予算価格€/ 1k
    0.77
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Wide SOA
OPN
ISZ113N10NM5LF2ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 PQFN 3.3 x 3.3
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 PQFN 3.3 x 3.3
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
ISZ113N10NM5LF2 is Infineon’s new best-in-class 100 V OptiMOS™ 5 Linear FET in a PQFN 3.3x3.3 mm package, offering the industry’s lowest on-state resistance RDS(on) and wide safe operating area (SOA) at 25˚C and 125˚C. The OptiMOS™ Linear FET is a revolutionary approach that solves the trade-off between on-state resistance and linear mode capability. Combined with the low cost, low profile PQFN 3.3x3.3 package, ISZ113N10NM5LF2 is targeted for soft start and current limiting purpose in Power-over-Ethernet (PoE) application.

特長

  • Wide safe operating area (SOA)
  • Low RDS(on) 
  • High max. pulse current
  • High max. continuous current
  • Available in small low profile package

利点

  • Rugged linear mode operation
  • Low conduction losses
  • High in-rush current enabled
  • Fast start-up and shorter down time
  • Industry standard footprint

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ