新規設計は非推奨
RoHS準拠

IST019N08NM5

OptiMOS™ 5 power MOSFET 80 V, 1.9 mOhm, 290 A, in sTOLL - 7x8 mm2 power MOS package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IST019N08NM5
IST019N08NM5
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    290 A
  • IDpuls max
    1160 A
  • Ptot max
    313 W
  • QG (typ @10V)
    94 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.9 mΩ
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    2.2 V to 3.8 V
  • バッテリー電圧
    36-48 V
  • パッケージ
    sTOLL (HSOF-5)
  • ピン数
    5 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.43
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
OPN
IST019N08NM5AUMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-5
パッケージ名 sTOLL
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-5
パッケージ名 sTOLL
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The IST019N08NM5 OptiMOS™ 5 power MOSFET 80 V in sTOLL package features low RDS(on) of 1.9 mOhm and
290 A high current capability. It has the advantages of Infineon’s well-known quality level for robust industry packages making it the ideal solution for various performance in battery management systems, light electric vehicles, and industrial robots. The improved RDS(on) and ID ratings, continuous and pulsed, enable increased battery run time and higher power density.

機能

  • JEDEC registered
  • 7x8 mm² small footprint
  • 290 A high current capability
  • Leadless package
  • Low package R and min stray inductance
  • Latest generation technology OptiMOS™ 5
  • RDS(on)1.9 mOhm
  • Lead tip inspection feature
  • Lead tip inspection feature

利点

  • High power & current density
  • High thermal capacity
  • Reduced conduction losses
  • Optimized switching behavior
  • Smaller than DPAK/D2PAK
  • Common JEDEC MO-319A package

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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