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IST019N08NM5
生産終了
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RoHS対応

IST019N08NM5

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OptiMOS™ 5 power MOSFET 80 V, 1.9 mOhm, 290 A, in sTOLL - 7x8 mm2 power MOS package
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IST019N08NM5
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    290 A
  • IDpuls (最大)
    1160 A
  • Ptot (最大)
    313 W
  • QG (typ @10V)
    94 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.9 mΩ
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V～3.8 V
  • バッテリー電圧
    36-48 V
  • パッケージ
    sTOLL (HSOF-5)
  • ピン数
    5 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.43
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N

OPN
IST019N08NM5AUMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-5
パッケージ名 sTOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
DE
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-5
パッケージ名 sTOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
DE
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The IST019N08NM5 OptiMOS™ 5 power MOSFET 80 V in sTOLL package features low RDS(on) of 1.9 mOhm and
290 A high current capability. It has the advantages of Infineon’s well-known quality level for robust industry packages making it the ideal solution for various performance in battery management systems, light electric vehicles, and industrial robots. The improved RDS(on) and ID ratings, continuous and pulsed, enable increased battery run time and higher power density.

特長

  • JEDEC registered
  • 7x8 mm² small footprint
  • 290 A high current capability
  • Leadless package
  • Low package R and min stray inductance
  • Latest generation technology OptiMOS™ 5
  • RDS(on)1.9 mOhm
  • Lead tip inspection feature
  • Lead tip inspection feature

利点

  • High power & current density
  • High thermal capacity
  • Reduced conduction losses
  • Optimized switching behavior
  • Smaller than DPAK/D2PAK
  • Common JEDEC MO-319A package

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ