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ISS55EP06LM
生産終了
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鉛フリー

ISS55EP06LM

生産終了
P-channel MOSFETs in normal and logic level, reducing design complexity in medium and low power applications
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ISS55EP06LM
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    -0.18 A
  • IDpuls (最大)
    -0.72 A
  • Ptot (最大)
    0.4 W
  • QG (typ @10V)
    -0.59 nC
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    7000 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    5500 mΩ
  • Special Features
    Small Signal
  • VDS (最大)
    -60 V
  • VGS(th)
    -1.5 V
  • パッケージ
    SOT-23
  • 予算価格€/ 1k
    0.03
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 極性
    P

OPN
ISS55EP06LMXTSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-SOT23-3
パッケージ名 SOT-23
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-SOT23-3
パッケージ名 SOT-23
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
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OptiMOS™ P-channel 60V MOSFETs in SOT-23 package are ideally suited for load switch, battery management as well as reverse polarity protection applications. The main advantage is simplifying the design complexity in medium and low power applications. Its easy interface to Microcontroller Unit (MCU), fast switching as well as avalanche ruggedness makes OptiMOS™ P-channel MOSFETs suitable for high quality demanding applications.

特長

  • VDS = -60V
  • Wide RDS(on) range
  • Normal & Logic Level availability

利点

  • Easy interface to MCU
  • Enhanced efficiency at low loads
  • Fast switching
  • Avalanche ruggedness
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ