新規
Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

BSS84I

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Industrial grade P-channel power MOSFETs in SOT23 package reducing design complexity in medium and low power applications
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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BSS84I
BSS84I
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    -0.29 A
  • QG (typ @4.5V)
    -0.29 nC
  • QG (typ @10V)
    -0.59 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    5500 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    7000 mΩ
  • VDS max
    -60 V
  • VGS(th)
    -1 V to -2 V
  • パッケージ
    SOT-23
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 極性
    P
  • 特別な機能
    Small Signal
推奨
OPN
BSS84IXUSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-SOT23-3
パッケージ名 SOT-23
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-SOT23-3
パッケージ名 SOT-23
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
OptiMOS™ P-channel power MOSFETs are ideal for load switches, battery management, and reverse polarity protection applications. The main advantage of OptiMOS™ P-channel power MOSFETs is the simplified design complexity in medium and low power applications. Its easy interface to Microcontroller Unit (MCU), fast switching, and avalanche ruggedness, makes Infineon’s OptiMOS™ power MOSFETs suitable for applications demanding high-quality.

機能

  • 100% avalanche tested
  • Logic level
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant
  • Qualified for industrial applications

利点

  • Easy interface to MCU
  • Improved efficiency at low loads
  • Fast switching
  • Avalanche ruggedness
  • Best-in-class quality and reliability

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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