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ISP25DP06LM
生産終了
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RoHS対応
鉛フリー

ISP25DP06LM

生産終了
P-channel MOSFET in normal and logic level, reducing design complexity in medium and low power applications
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ISP25DP06LM
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    -1.9 A
  • IDpuls (最大)
    -7.6 A
  • Ptot (最大)
    5 W
  • QG (typ @10V)
    -13.9 nC
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    310 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    250 mΩ
  • VDS (最大)
    -60 V
  • VGS(th) 範囲
    -1 V～-2 V
  • パッケージ
    SOT-223
  • 予算価格€/ 1k
    0.14
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 極性
    P
  • 特別な機能
    Small Power
OPN
ISP25DP06LMXTSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-SOT223-4
パッケージ名 SOT-223
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-SOT223-4
パッケージ名 SOT-223
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
OptiMOS™ P-Channel MOSFET 60 V in SOT-223 package targeting battery management, load switch and reverse polarity protection applications, reducing design complexity in medium and low power applications. Easy interface to MCU, fast switching as well as avalanche ruggedness makes it suitable for high quality demanding applications. Available in normal level featuring a wide RDS(on) range and improves efficiency at low loads.

特長

  • VDS = -60V
  • Wide RDS(on) range
  • Logic level availability

利点

  • Easy interface to MCU
  • Enhanced efficiency at low loads
  • Fast switching
  • Avalanche ruggedness

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ