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ISP13DP06NMS
生産終了
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RoHS対応

ISP13DP06NMS

生産終了
P-channel MOSFET in normal and logic level, reducing design complexity in medium and low power applications
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ISP13DP06NMS
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    -2.8 A
  • IDpuls (最大)
    -11.2 A
  • Ptot (最大)
    5 W
  • QG (typ @10V)
    -20.2 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    125 mΩ
  • Special Features
    Small Power
  • VDS (最大)
    -60 V
  • VGS(th) 範囲
    -2.1 V～-4 V
  • パッケージ
    SOT-223
  • ピン数
    3 Pins
  • モード
    Enhancement
  • 予算価格€/ 1k
    0.18
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    P

OPN
ISP13DP06NMSATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-SOT223-3
パッケージ名 SOT-223-3
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
MY
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-SOT223-3
パッケージ名 SOT-223-3
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
MY
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OptiMOS™ P-channel small signal MOSFET s 60V in SOT-223 package is the new technology targeted for consumer applications . The main advantage of a P-channel small signal device is the reduction of design complexity in medium and low power applications. Enabling fast switching, avalanche ruggedness and an easy interface to microcontroller unit (MCU), also featuring a very low on-resistance RDS(on). It is available in normal level.

特長

  • VDS= -60V
  • Very low on-resistance RDS(on)
  • 100% avalance tested
  • Normal level
  • Qualified according to JEDEC standard
0

利点

  • Easy interface to MCU
  • Fast switching
  • Avalanche ruggedness

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ