ISP12DP06NM
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

ISP12DP06NM

P-channel MOSFET in normal and logic level, reducing design complexity in medium and low power applications
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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ISP12DP06NM
ISP12DP06NM
個.
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    -2.8 A
  • IDpuls (最大)
    -11.2 A
  • Ptot (最大)
    4.2 W
  • QG (typ @10V)
    -20.2 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    125 mΩ
  • Special Features
    Small Signal
  • VDS (最大)
    -60 V
  • VGS(th) 範囲
    -2.1 V～-4 V
  • パッケージ
    SOT-223
  • 予算価格€/ 1k
    0.24
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 極性
    P

推奨
OPN
ISP12DP06NMXTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-SOT223-4
パッケージ名 SOT-223
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
AT,MY
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-SOT223-4
パッケージ名 SOT-223
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
AT,MY
個.
在庫あり
OptiMOS™ P-Channel MOSFET 60 V in SOT-223 package targeting battery management, load switch and reverse polarity protection applications, reducing design complexity in medium and low power applications. Easy interface to MCU, fast switching as well as avalanche ruggedness makes it suitable for high quality demanding applications. Available in normal level featuring a wide RDS(on) range and improves efficiency at low loads.

特長

  • VDS = -60V
  • Wide RDS(on) range
  • Logic level availability

利点

  • Easy interface to MCU
  • Enhanced efficiency at low loads
  • Fast switching
  • Avalanche ruggedness

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ