Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

ISP12DP06NM

P-channel MOSFET in normal and logic level, reducing design complexity in medium and low power applications
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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ISP12DP06NM
ISP12DP06NM
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    -2.8 A
  • IDpuls max
    -11.2 A
  • Ptot max
    4.2 W
  • QG (typ @10V)
    -20.2 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    125 mΩ
  • VDS max
    -60 V
  • VGS(th)
    -2.1 V to -4 V
  • パッケージ
    SOT-223
  • 予算価格€/ 1k
    0.24
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 極性
    P
  • 特別な機能
    Small Signal
推奨
OPN
ISP12DP06NMXTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-SOT223-4
パッケージ名 SOT-223
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-SOT223-4
パッケージ名 SOT-223
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
OptiMOS™ P-Channel MOSFET 60 V in SOT-223 package targeting battery management, load switch and reverse polarity protection applications, reducing design complexity in medium and low power applications. Easy interface to MCU, fast switching as well as avalanche ruggedness makes it suitable for high quality demanding applications. Available in normal level featuring a wide RDS(on) range and improves efficiency at low loads.

機能

  • VDS = -60V
  • Wide RDS(on) range
  • Logic level availability

利点

  • Easy interface to MCU
  • Enhanced efficiency at low loads
  • Fast switching
  • Avalanche ruggedness

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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