Active and preferred
RoHS準拠

ISC110N12NM6

OptiMOS™ 6 power MOSFET normal level 120 V in SuperSO8 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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ISC110N12NM6
ISC110N12NM6
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    62 A
  • IDpuls max
    248 A
  • QG (typ @10V)
    15.4 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    11 mΩ
  • VDS max
    120 V
  • VGS(th)
    3.1 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • 予算価格€/ 1k
    0.5
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
ISC110N12NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
This is a normal level 120 V MOSFET in SuperSO8 packaging with 11 mOhm on-resistance. ISC110N12NM6 is part of Infineon’s OptiMOS™ 6 power MOSFET family.

機能

  • Compared to OptiMOS™ the technology features:
  • up to 40% better RDS(on)
  • up to 50% better FOMg
  • up to 50% better Qrr

利点

  • Very low on-resistance
  • Very low reverse recovery charge
  • Excellent gate charge x RDS(on)
  • High avalanche energy rating
  • 175°C junction temperature rating
  • Pb-free plating
  • RoHS compliant
  • Halogen-free
  • MSL1 classified

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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