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ISC0806NLS
生産終了
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RoHS対応

ISC0806NLS

生産終了
OptiMOS™ low-voltage power MOSFET - perfectly addressing the needs of charger and adapter designs
データシート
パッケージ

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ISC0806NLS
ISC0806NLS
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    97 A
  • QG (typ @4.5V)
    20 nC
  • QG (typ @10V)
    37 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    5.4 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    7.1 mΩ
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    1.1 V～2.3 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • 予算価格€/ 1k
    0.89
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 極性
    N

OPN
ISC0806NLSATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
DE

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
DE
OptiMOS™ PD power MOSFET is Infineon’s portfolio targeting USB-PD and adapter applications . ISC0806NLS in the SuperSO8 package offers fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS™ low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS™ PD features quality products in compact, lightweight packages.

特長

  • Logic level availability
  • Low on-state resistance RDS(on)
  • Low gate, output and reverse recovery charge
  • Excellent thermal behavior
  • Available in 2 small standard packages

利点

  • Short lead times
  • Quick quote response
  • Highest efficiency and power density designs
  • Compact, lightweight and environmentally friendly products
  • Excellent price-performance ratio

アプリケーション

民生用電子機器
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ