ISC019N08NM7
Active and preferred
RoHS対応

ISC019N08NM7

SuperSO8パッケージのOptiMOS™ 7 nチャネル パワーMOSFET 80 V
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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ISC019N08NM7
ISC019N08NM7
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    209 A
  • IDpuls (@25°C) (最大)
    836 A
  • Ptot (最大)
    188 W
  • Ptot (最小)
    188 W
  • QG (typ @10V)
    60 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.9 mΩ
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) 範囲
    2.3 V～3.2 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 動作温度 (Tj) 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Fused leads
推奨
OPN
ISC019N08NM7ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 -
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
OptiMOS™ 7 80 Vは、電力効率と性能とコスト効率の完璧なバランスを実現する新しい業界標準を確立する最新のテクノロジーです。

特長

  • 高性能シリコンテクノロジー
  • ノーマルレベル ゲート駆動
  • 定格175°C
  • 産業用認証

利点

  • OptiMOS™ 5と比較してFOMが32%以上向上
  • OptiMOS™ 5と比較してスイッチング性能が向上
  • 使いやすさ
  • ソフトボディダイオード
  • 堅牢で信頼性の高い性能
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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