Active and preferred
RoHS準拠

ISC010N04NM6

OptiMOS™ 6 power MOSFET 40 V normal level with latest Infineon technology in a SuperSO8 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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ISC010N04NM6
ISC010N04NM6
EA.
データシート

製品仕様情報

  • ID max
    285 A
  • ID (@25°C) max
    285 A
  • IDpuls max
    1140 A
  • Ptot max
    150 W
  • QG (typ @10V)
    67 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    2.3 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.68
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Fused leads
推奨
OPN
ISC010N04NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 FL
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 FL
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
This best-in-class OptiMOS™6 power MOSFET 40 V normal level, featuring very low RDS(on) of 1.0mOhm, offers a benchmark solution for normal level (higher threshold voltage) applications such as battery-powered applications, battery-powered tools, battery management, and low voltage drives. A higher Vth for the normal level portfolio means that only larger gate voltage spikes would cause an unwanted turn-on.

機能

  • N-channel enhancement mode
  • Normal level gate threshold (2.3V typ)
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C junction temperature
  • Optimized charge ratio
  • Low gate charge
  • 100% avalanche tested
  • Superior thermal resistance

利点

  • False turn-on immunity
  • Less Switching Losses, Low Gate Charge
  • Suits FOC and DTC motor control

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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