IRLU024N
アクティブ
RoHS対応

IRLU024N

55V Single N-Channel Power MOSFET in a I-Pak package
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IRLU024N
IRLU024N
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    17 A
  • Ptot (最大)
    38 W
  • Qgd
    5.7 nC
  • QG (typ @4.5V)
    10 nC
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    110 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    65 mΩ
  • RthJC (最大)
    3.3 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    55 V
  • VGS(th) 範囲
    1 V～2 V
  • VGS(th)
    1.5 V
  • VGS (最大)
    16 V
  • パッケージ
    IPAK (TO-251)
  • 予算価格€/ 1k
    0.3
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level
推奨
OPN
IRLU024NPBF
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
IPAK
パッケージ名 IPAK
梱包サイズ 3000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
IPAK
パッケージ名 IPAK
梱包サイズ 3000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

特長

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for wide distribution access
  • JEDEC-standard product qualification
  • Silicon optimized for <100kHz switching
  • Standard through-hole power package

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability at distribution
  • Industry standard qualification level
  • High performance, low-frequency
  • Drop-in replacement with standard pinout

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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