新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

IRLML2502

20V Single N-Channel Power MOSFET in a Micro 3 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IRLML2502
IRLML2502
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    4.2 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    1.3 W
  • Qgd
    1.7 nC
  • QG (typ @4.5V)
    8 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    45 mΩ
  • RthJA max
    100 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    20 V
  • VGS(th)
    0.9 V
  • VGS max
    12 V
  • パッケージ
    SOT-23
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.08
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Small Power
OPN
IRLML2502TRPBF
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
SOT23
パッケージ名 SOT-23
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
SOT23
パッケージ名 SOT-23
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

機能

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Silicon optimized for applications
  • Industry standard surface-mount package

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability at distribution
  • Industry standard qualification level
  • High performance, low-frequency
  • Drop-in replacement with standard pinout

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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