IRL80HS120
Active and preferred
RoHS対応

IRL80HS120

New logic level MOSFETs for low VGS

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IRL80HS120
IRL80HS120

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    12.5 A
  • IDpuls (最大)
    41 A
  • Ptot (最大)
    11.5 W
  • Qgd
    1.8 nC
  • QG (typ @4.5V)
    4.7 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    32 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    42 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) (最大)
    42 mΩ
  • RthJA (最大)
    60 K/W
  • RthJC (最大)
    13 K/W
  • Rth
    13 K/W
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V~2 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • パッケージ
    PQFN 2 x 2 (DFN2020)
  • 予算価格€/ 1k
    0.25
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level
OPN
IRL80HS120
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 PQFN 2 x 2
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 PQFN 2 x 2
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Available in three different voltage classes (60V, 80V and 100V), Infineon’s new logic level power MOSFETs are highly suitable for wireless charging , telecom and adapter applications. The PQFN 2x2 package is especially suited for high speed switching and form factor critical applications. It enables higher power density and improved efficiency as well as significant space saving.

特長

  • FOM(RDS(on)xQg/gd)
  • Optimized Q g,Coss
  • Logic level compatibility
  • Tiny PQFN 2 x 2 mm package

利点

  • Smallest package footprint
  • Higher power density designs
  • Higher switching frequency
  • Reduced parts count with 5V supply
  • Driven directly from microcontrollers
  • System cost reduction
ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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