IRL6297SD

20V Dual N-Channel Logic Level StrongIRFET™ Power MOSFET in DirectFET™ SA package
データシート

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IRL6297SD
IRL6297SD
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    15 A
  • Ptot max
    25 W
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    1.7 W
  • Qgd (typ)
    9.5 nC
  • QG (typ @4.5V)
    54 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    4.9 mΩ
  • RthJA max
    72 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    20 V
  • VGS(th)
    0.8 V
  • VGS max
    12 V
  • パッケージ
    DirectFET (S)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.44
  • 動作温度
    -40 °C to 150 °C
  • 極性
    N+N, N+N
  • 特別な機能
    Schottky Like
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

機能

  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • High-current rating
  • Dual-side cooling capability
  • Low package height of 0.7mm
  • Low parasitic (1-2 nH) inductance package
  • 100% lead-free (No RoHS exemption)

利点

  • Wide availability from distribution partners
  • Industry standard qualification level
  • High power density
  • Optimum thermal performance
  • Compact form factor
  • High efficiency
  • Environmentally friendly

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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