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IRHYB9A3130CM

データシート
パッケージ

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IRHYB9A3130CM
IRHYB9A3130CM
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) max
    22 A
  • ID (@25°C) max
    30 A
  • QG
    44 nC
  • QPL型番
    2N7648D5
  • RDS (on) (@25°C) max
    35 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Tabless Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IRHYB9A3130CM is a rad hard, single R9 N-channel MOSFET that operates at 100V/30A. Its low RDS(on) and improved SEE immunity make it ideal for high-speed switching applications such as motor controllers and DC-DC converters. With a TO-257AA tabless low ohmic package, this COTS device is suitable for space applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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