IRHNA67260
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IRHNA67260

データシート
パッケージ

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IRHNA67260
IRHNA67260
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    40 A
  • ID (@25°C) (最大)
    56 A
  • QG
    240 nC
  • QPL型番
    2N7583U2
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    28 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 standard
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 standard
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHNA67260 R6 N-channel MOSFET is a high-performance rad hard power MOSFET for space applications. Rated at 200V and 40A, it provides reliable electrical performance up to 100krad(Si) TID. Its low RDS(on) and low gate charge make it ideal for switching applications while retaining the benefits of MOSFETs. This is a COTS device.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ