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IRHNA67260

データシート
パッケージ

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IRHNA67260
IRHNA67260
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    40 A
  • ID (@25°C) (最大)
    56 A
  • QG
    240 nC
  • QPL型番
    2N7583U2
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    28 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHNA67260 R6 N-channel MOSFET is a high-performance rad hard power MOSFET for space applications. Rated at 200V and 40A, it provides reliable electrical performance up to 100krad(Si) TID. Its low RDS(on) and low gate charge make it ideal for switching applications while retaining the benefits of MOSFETs. This is a COTS device.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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