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IRHNA67160

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IRHNA67160
IRHNA67160

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) max
    56 A
  • ID (@25°C) max
    56 A
  • QG
    170 nC
  • QPL型番
    2N7579U2
  • RDS (on) (@25°C) max
    10 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHNA67160 R6 N-channel MOSFET is a rad hard, 100V, 56A MOSFET in a compact SMD-2 package. With electrical performance up to 100krad(Si) TID, these COTS devices are ideal for space applications. The low RDS(on) and low gate charge minimize power losses in switching applications, while retaining the benefits of MOSFETs such as fast switching and voltage control.

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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