IRHNA67160
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IRHNA67160

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IRHNA67160
IRHNA67160
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    56 A
  • ID (@25°C) (最大)
    56 A
  • QG
    170 nC
  • QPL型番
    2N7579U2
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    10 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 standard
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 standard
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHNA67160 R6 N-channel MOSFET is a rad hard, 100V, 56A MOSFET in a compact SMD-2 package. With electrical performance up to 100krad(Si) TID, these COTS devices are ideal for space applications. The low RDS(on) and low gate charge minimize power losses in switching applications, while retaining the benefits of MOSFETs such as fast switching and voltage control.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ