IRHMS57163SE
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IRHMS57163SE

データシート
パッケージ

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IRHMS57163SE
IRHMS57163SE
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    45 A
  • ID (@25°C) (最大)
    45 A
  • QG
    160 nC
  • QPL型番
    2N7475T1
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    15.5 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    130 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHMS57163SE R5 N-channel MOSFET is a rad hard space-grade device, 130V voltage rating and 45A current rating. It comes in a TO-254AA low ohmic package and offers electrical performance up to 100krad(Si) TID classification. This MOSFET features low RDS(on) and gate charge, ensuring reduced power losses in switching applications.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ