IRHMB6S7160

データシート

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IRHMB6S7160
IRHMB6S7160
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    170 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    11 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Tabless Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
This rad hard N-channel MOSFET IRHMB6S7160 features R6 technology with 100V, 45A rating. It comes in a TO-254AA tabless low ohmic package, with electrical performance up to 100krad(Si) TID, COTS classification. The device has low RDS(on), low gate charge, and fast switching, making it ideal for motor control and DC-DC converters. It also has voltage control and temperature stability. SEE performance up to LET of 60 MeV·cm2/mg.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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