IRHMB57Z60
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IRHMB57Z60
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データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    45 A
  • ID (@25°C) (最大)
    45 A
  • QG
    240 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    4.5 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Tabless Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHMB57Z60 R5 rad hard N-channel MOSFET in a TO-254AA tabless low ohmic package, has 45A and 30V capabilities. With up to 100krad(Si) TID tolerance and COTS classification, it has excellent performance and reliability in space and satellite applications. Its low RDS(on) and gate charge make it ideal for DC-DC converters and motor control, while retaining MOSFET benefits like voltage control, fast switching, and temperature stability.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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