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IRHLF7S7214

データシート
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IRHLF7S7214
IRHLF7S7214
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R7
  • ID (@25°C) max
    3.3 A
  • ID (@100°C) max
    2.1 A
  • QG
    18 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    1000 mΩ
  • SEE
    100 MeV∙cm2/mg
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHLF7S7214 in TO-205AF package is a rad hard, 200V, 3.3A R7 N-channel MOSFET with electrical performance up to 100krad(Si) TID, suitable for use in space and other radiation environments. This COTS device provides immunity to single event gate rupture and burnout while maintaining acceptable operating limits for threshold voltage. Ideal for interfacing with logic gates, linear IC's and microcontrollers.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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