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IRHLF7S7214

データシート
パッケージ

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IRHLF7S7214
IRHLF7S7214
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R7
  • ID (@25°C) max
    3.3 A
  • ID (@100°C) max
    2.1 A
  • QG
    18 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    1000 mΩ
  • SEE
    100 MeV∙cm2/mg
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHLF7S7214 in TO-205AF package is a rad hard, 200V, 3.3A R7 N-channel MOSFET with electrical performance up to 100krad(Si) TID, suitable for use in space and other radiation environments. This COTS device provides immunity to single event gate rupture and burnout while maintaining acceptable operating limits for threshold voltage. Ideal for interfacing with logic gates, linear IC's and microcontrollers.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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