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IRHF597110

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IRHF597110
IRHF597110
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1A
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    -1.6 A
  • ID (@25°C) max
    -2.6 A
  • QG
    11 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    1000 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • VF max
    -5 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    P
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHF597110 is a R5, rad hard, -100V, -2.6A, single, P-channel MOSFET in a TO-205AF package. It features low RDS(on) and low gate charge, which reduces power loss in DC-DC converters and motor controllers. With electrical performance up to 100krad(Si) TID, these MOSFETs are reliable for space applications while retaining MOSFET advantages such as voltage control and temperature stability.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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