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IRHE9130

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IRHE9130
IRHE9130
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) max
    -4.1 A
  • ID (@25°C) max
    -6.5 A
  • QG
    45 nC
  • QPL型番
    2N7389U
  • RDS (on) (@25°C) max
    300 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • VF max
    -3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    18-pin LCC
  • 極性
    P
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-LCC-18
パッケージ坝 LCC-18 MOSFET
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-LCC-18
パッケージ坝 LCC-18 MOSFET
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
IRHE9130 is a R4, rad hard, -100V, -6.5A, single, P-channel MOSFET in an 18-pin LCC package. Its rad hard design and electrical performance up to 100krad(Si) TID make it a reliable choice for space applications. In addition to its low gate charge, which reduces power loss in switching applications, it retains the advantages of MOSFETs such as voltage control and fast switching.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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