IRFY9140CSCV
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データシート

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IRFY9140CSCV
IRFY9140CSCV
データシート


製品仕様情報

  • ID (@100°C) (最大)
    -10 A
  • ID (@25°C) (最大)
    -15.8 A
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    200 mΩ
  • VBRDSS (最小)
    -100 V
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • パッケージ
    TO-257AA
  • 極性
    P

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ M-TO257-3
パッケージ名 N/A
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No
組立国
MX
ウェハ製造国
US

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ M-TO257-3
パッケージ名 -
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MX
ウェハ製造国
US
IRFY9140CSCV is a high reliability, -100V, single, P-channel MOSFET in a TO-257AA package. It utilizes HEXFET MOSFET technology to achieve low on-state resistance, high transconductance, and superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. Ideal for power supplies, motor controls, choppers, audio amplifiers, and other high-energy pulse circuit applications. It has TXV level screening and is suitable for defense applications.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ