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IRFSL7434
生産終了
生産終了
RoHS対応

IRFSL7434

生産終了
40V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-262 package
パッケージ

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IRFSL7434
IRFSL7434

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    320 A
  • Ptot (最大)
    294 W
  • Qgd
    77 nC
  • QG (typ @10V)
    216 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.6 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.5 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V～3.9 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    I2PAK (TO-262)
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IRFSL7434PBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO262
パッケージ名 I2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO262
パッケージ名 I2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. End-applications include cordless power and gardening tools, light electric vehicles and e-bikes demanding a high level of ruggedness and energy efficiency.

特長

  • High-current rating
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100 kHz
  • Softer body-diode compared to previous silicon generation
  • Industry standard through-hole power package
  • Optimized for broadest availability from distribution partners

利点

  • High current carrying capability
  • Reliable products tested to industry standards
  • High performance in low frequency applications
  • Increased power density
  • Standard pinout allows for drop in replacement
  • Wide availability from distribution partners

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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