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RoHS準拠

IRFR7540

StrongIRFET™ power MOSFET 60 V in a DPAK package
データシート
パッケージ
複数のパッケージが利用可能
EA.

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IRFR7540
IRFR7540
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    110 A
  • Ptot max
    140 W
  • Qgd
    27 nC
  • QG (typ @10V)
    86 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    4.8 mΩ
  • RthJC max
    1.05 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    2.9 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.43
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
推奨
OPN
IRFR7540TRPBF IRFR7540PBF
製品ステータス active discontinued
インフィニオンパッケージ
DPAK
DPAK
パッケージ名 DPAK DPAK
包装サイズ 2000 3000
包装形態 TAPE & REEL TUBE
水分レベル 1 1
モイスチャーパッキン NON DRY NON DRY
鉛フリー No No
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
DPAK
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
DPAK
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 3000
包装形態 TUBE
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

利点

  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Optimized for 10 V gate-drive voltage (called Normal level)
  • Silicon optimized for applications switching below <100 KHz
  • Softer body-diode compared to previous silicon generation
  • Industry standard surface-mount power package
  • Capable of being wave soldered

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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