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IRFR3711Z
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IRFR3711Z

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20V Single N-Channel Power MOSFET in a D-Pak package
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IRFR3711Z
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    93 A
  • Ptot (最大)
    79 W
  • Qgd
    6.5 nC
  • QG (typ @4.5V)
    18 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    5.7 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    7.8 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.9 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    20 V
  • VGS(th) 範囲
    1.55 V～2.45 V
  • VGS(th)
    2 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.36
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

OPN
IRFR3711ZTRPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
DPAK
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
IL
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
DPAK
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
IL
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

特長

  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Industry standard surface mount package
  • Silicon optimized for applications switching below <100kHz

利点

  • Wide availability from distribution partners
  • Industry standard qualification level
  • Standard pinout allows for drop in replacement
  • High performance in low frequency applications

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ