IRFR3607
アクティブ
RoHS対応

IRFR3607

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package
データシート
パッケージ

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IRFR3607
IRFR3607
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    80 A
  • Ptot (最大)
    140 W
  • Qgd
    16 nC
  • QG (typ @10V)
    56 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    9 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.05 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    75 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.41
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
推奨
OPN
IRFR3607TRPBF
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
DPAK
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
DPAK
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

特長

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Silicon optimized for applications
  • Industry standard surface mount package

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability at distribution
  • Industry standard qualification level
  • High performance, low-frequency
  • Drop-in replacement with standard pinout
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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