IRFR13N15D

IRFR13N15D

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package
データシート

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IRFR13N15D
IRFR13N15D
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    14 A
  • Ptot (最大)
    86 W
  • Qgd
    9.4 nC
  • QG (typ @10V)
    19 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    180 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.75 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    150 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～5.5 V
  • VGS(th)
    4.25 V
  • VGS (最大)
    30 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Industry-leading quality
  • Dynamic dv/dt Rating
  • Fast Switching
  • Fully Avalanche Rated
  • 175°C Operating Temperature

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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