IRFP4668
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

IRFP4668

200V Single N-Channel IR MOSFET™ Power MOSFET in a TO-247 package
データシート
パッケージ
複数のOPNを利用可能
個.

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IRFP4668
IRFP4668
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    130 A
  • Ptot (最大)
    520 W
  • Qgd
    52 nC
  • QG (typ @10V)
    161 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    9.7 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.29 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    200 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS (最大)
    30 V
  • バッテリー電圧
    96-140 V
  • パッケージ
    TO-247
  • 予算価格€/ 1k
    1.94, 1.94
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBF
製品ステータス active discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
TO247
パッケージ名 N/A TO247
梱包サイズ 400 400
梱包形態 TUBE TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA NA
防湿梱包 NON DRY NON DRY
鉛フリー Yes No
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS対応 Yes Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 -
梱包サイズ 400
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO247
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 400
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The IR MOSFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. 

特長

  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Industry standard through-hole power
  • High-current rating

利点

  • Wide distribution availability
  • Industry standard qualification level
  • Drop-in replacement with standard pinout
  • High current carrying capability
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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