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生産終了
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RoHS準拠

IRFP054N

生産終了
55V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-247 package
データシート
パッケージ

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IRFP054N
IRFP054N
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    81 A
  • Ptot (最大)
    130 W
  • Qgd
    35.3 nC
  • QG (typ @10V)
    86.7 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    12 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.2 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    55 V
  • VGS(th) (範囲)
    2 V ～ 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-247
  • 予算価格€/ 1k
    1.07
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IRFP054NPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
TO247
パッケージ名 TO247
包装サイズ 400
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
TO247
パッケージ名 TO247
包装サイズ 400
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

特長

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100kHz
  • Industry standard through-hole power package
  • High current rating

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability from distribution partners
  • Industry standard qualification level
  • High performance in low frequency applications
  • Standard pinout allows for drop in replacement
  • High current carrying capability

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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