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IRFHM8363
生産終了
生産終了
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鉛フリー

IRFHM8363

生産終了
30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 3.3mm x3.3mm Lead Free package
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IRFHM8363
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製品仕様情報

  • ID (@ TA=25°C) (最大)
    11 A, 11 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.7 W
  • Qgd (typ)
    2 nC
  • QG
    15 nC
  • RDS (on) (最大)
    14.9 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    20.4 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    14.9 mΩ
  • RthJA (最大)
    47 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3 x 3.3
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 極性
    N+N, N+N

OPN
IRFHM8363TRPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PQFN 3.3X3.3 8L
パッケージ名 PQFN 3.3 x 3.3
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
IL
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PQFN 3.3X3.3 8L
パッケージ名 PQFN 3.3 x 3.3
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
IL
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利点

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Low Profile (less than 1.1 mm)
  • Industry-Standard Pinout
  • Compatible with Existing Surface Mount Techniques
  • Qualified MSL1
  • Dual N-Channel MOSFET

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ