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IRFHM8326
生産終了
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RoHS対応

IRFHM8326

生産終了
30V Single N-Channel Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package
パッケージ
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IRFHM8326
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    70 A
  • Ptot (最大)
    37 W
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.8 W
  • Qgd
    6.5 nC
  • QG (typ @4.5V)
    20 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    4.7 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    6.7 mΩ
  • RthJC (最大)
    3.4 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V～2.2 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3 x 3.3
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.19
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
IRFHM8326TRPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PQFN 3.3X3.3 8L
パッケージ名 PQFN 3.3 x 3.3
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PQFN 3.3X3.3 8L
パッケージ名 PQFN 3.3 x 3.3
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

特長

  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Optimized for 5 V gate-drive voltage
  • Industry standard surface-mount power
  • Alternative to SuperSO8 package

利点

  • Multi-vendor compatibility
  • Industry standard qualification level
  • 5V gate drive capability
  • Drop-in replacement with standard pinout
  • Small form factor

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ