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RoHS準拠
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IRFHM3911

100V Single N-Channel IR MOSFET in a PQFN 3.3x3.3 package
データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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IRFHM3911
IRFHM3911
EA.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    11 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.8 W
  • Ptot (最大)
    29 W
  • Qgd
    5.4 nC
  • QG (typ @10V)
    17 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    115 mΩ
  • RthJC (最大)
    4.3 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) (範囲)
    2 V ～ 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3 x 3.3
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.2
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
推奨
OPN
IRFHM3911TRPBF
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PQFN 3.3X3.3 8L
パッケージ名 PQFN 3.3 x 3.3
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PQFN 3.3X3.3 8L
パッケージ名 PQFN 3.3 x 3.3
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
The IR MOSFET™ family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

特長

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Silicon optimized for applications
  • Industry standard surface-mount package

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability at distribution
  • Industry standard qualification level
  • High performance, low-frequency
  • Drop-in replacement with standard pinout

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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