IRFF9210
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IRFF9210
IRFF9210
データシート

製品仕様情報

  • ID (@100°C) (最大)
    -0.97 A
  • ID (@25°C) (最大)
    -1.5 A
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    3000 mΩ
  • VBRDSS (最小)
    -200 V
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    P
推奨
OPN
IRFF9210EWSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
梱包サイズ 1
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
梱包サイズ 1
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRFF9130 is a high reliability, -200V, single, P-channel MOSFET in a TO-205AF package. It utilizes HEXFET MOSFET technology to achieve low on-state resistance, high transconductance, and superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. Ideal for power supplies, motor controls, choppers, audio amplifiers, and other high-energy pulse circuit applications.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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