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RoHS準拠

IRFB5615

150V Single N-Channel Digital Audio Power MOSFET in a TO-220 package
データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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IRFB5615
IRFB5615
EA.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    35 A
  • Ptot (最大)
    144 W
  • Qgd
    9 nC
  • QG (typ @10V)
    26 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    39 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.04 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    150 V
  • VGS(th) (範囲)
    3 V ～ 5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    0.48
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IRFB5615PBF
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

特長

  • Dual N-chan. Normal Level
  • High-current carry capability package
  • Industry standard qualification level
  • High performance in low freq applicants.
  • Increased power density
  • Optimal device for their application

利点

  • Drop-in replacement with standard pinout
  • High-current carry capability package
  • Industry standard qualification level
  • High performance, low-frequency
  • Increased power density
  • Flexibility for optimal device selection

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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