新規設計は非推奨
RoHS準拠

IRFB3307Z

75V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package
データシート
パッケージ

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IRFB3307Z
IRFB3307Z
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    128 A
  • Ptot max
    230 W
  • Qgd
    24 nC
  • QG (typ @10V)
    79 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    5.8 mΩ
  • RthJC max
    0.65 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    75 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    0.72
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IRFB3307ZPBF
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

機能

  • Industry standard through-hole package
  • High-current rating
  • JEDEC standard Product qualification
  • 100kHz Silicon switching applications
  • Softer body-diode vs previous generation
  • Wide portfolio available

利点

  • Drop-in replacement with standard pinout
  • High-current carry capability package
  • Industry standard qualification level
  • High performance, low-frequency
  • Increased power density
  • Flexibility for optimal device selection

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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