IRF8910PBF-1

IRF8910PBF-1

20V Dual N-Channel Power MOSFET in a SO-8 package
データシート

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IRF8910PBF-1
IRF8910PBF-1
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    10 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.5 W
  • Qgd (typ)
    2.5 nC
  • QG (typ @4.5V)
    7.4 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    13.4 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    18.3 mΩ
  • RthJA (最大)
    62.5 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    20 V
  • VGS(th) 範囲
    1.65 V～2.55 V
  • VGS(th)
    2.1 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 極性
    N+N, N+N

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

特長

  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Industry standard surface-mount package
  • Silicon optimized for applications switching below <100kHz

利点

  • Wide availability from distribution partners
  • Industry standard qualification level
  • Standard pinout allows for drop-in replacement
  • High performance in low frequency applications

アプリケーション

通信インフラ
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ