IRF8707G

Halogen Free and Lead Free 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
データシート

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IRF8707G
IRF8707G
データシート

製品仕様情報

  • ID (@ TA=70°C) max
    9.1 A
  • ID (@ TA=25°C) max
    11 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.5 W
  • Qgd
    2.2 nC
  • QG
    6.2 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    11.9 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    17.5 mΩ
  • RDS (on) max
    11.9 mΩ
  • RthJA max
    50 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    30 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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