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生産終了
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RoHS準拠

IRF8707

生産終了
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
データシート
パッケージ

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IRF8707
IRF8707
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) max
    11 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.5 W
  • Qgd
    2.2 nC
  • QG (typ @4.5V)
    6.2 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    11.9 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    17.5 mΩ
  • RthJA max
    50 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.15
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
IRF8707TRPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

利点

  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Optimized for 5V gate-drive voltage (called Logic level)
  • Industry standard surface-mount package
  • Capable of being wave-soldered

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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