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IRF7Y1405CM

データシート

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IRF7Y1405CM
IRF7Y1405CM
データシート

製品仕様情報

  • ID (@100°C) max
    18 A
  • ID (@25°C) max
    18 A
  • RDS (on) (@25°C) max
    15.3 mΩ
  • VBRDSS min
    55 V
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • パッケージ
    TO-257AA
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    High Reliability MOSFETs
  • 言語
    SPICE
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ M-TO257-3
パッケージ名 N/A
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ M-TO257-3
パッケージ名 -
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRF7Y1405CM is a high reliability, 55V, single, N-channel MOSFET in a TO-257AA package. It utilizes HEXFET MOSFET technology to achieve low on-state resistance, high transconductance, and superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. Ideal for power supplies, motor controls, choppers, audio amplifiers, and other high-energy pulse circuit applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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