IRF7780M

75V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a DirectFET™ ME package
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IRF7780M
IRF7780M
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    89 A
  • Ptot max
    96 W
  • Qgd
    29 nC
  • QG (typ @10V)
    124 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    5.7 mΩ
  • RthJC max
    1.3 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    75 V
  • VGS(th)
    2.9 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    DirectFET(M)
  • マイクロステンシル
    IRF66ME-25
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. End-applications include cordless power and gardening tools, light electric vehicles and e-bikes demanding a high level of ruggedness and energy efficiency.

機能

  • Dual-side cooling capability
  • Low package height of 0.7mm
  • Low parasitic (1-2 nH) inductance package
  • 100% lead-free (No ROHS exemption)
  • Silicon optimized for applications switching below <100KHz
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Optimized for broadest availability from distribution partners

利点

  • High power density
  • Low profile design
  • High efficiency
  • Environmentally friendly
  • High performance in low frequency applications
  • Industry standard qualification level
  • Wide availability from distribution partners

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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