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代替品
生産終了
生産終了
RoHS準拠
鉛フリー

IRF7580M

生産終了
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET ME Package
データシート
パッケージ
代替品

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IRF7580M
IRF7580M
代替品
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    114 A
  • Ptot max
    115 W
  • Qgd
    36 nC
  • QG (typ @10V)
    120 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    3.6 mΩ
  • RthJC max
    1.3 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    2.9 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    DirectFET(M)
  • マイクロステンシル
    IRF66ME-25
  • モイスチャー感度レベル
    3
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
IRF7580MTRPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
MG-WDSON-8
パッケージ名 DirectFET ME
包装サイズ 4800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
MG-WDSON-8
パッケージ名 DirectFET ME
包装サイズ 4800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
代替品

利点

  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level)
  • Silicon optimized for applications switching below <100KHz
  • Softer body-diode compared to previous silicon generation
  • Dual-side cooling capability
  • Low package height of 0.7mm
  • Low parasitic (1-2 nH) inductance package
  • 100% lead-free (No RoHS exemption)

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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