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IRF7580M
生産終了
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IRF7580M

生産終了
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET ME Package
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IRF7580M
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    114 A
  • Ptot (最大)
    115 W
  • Qgd
    36 nC
  • QG (typ @10V)
    120 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3.6 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.3 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) 範囲
    2.1 V～3.7 V
  • VGS(th)
    2.9 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    DirectFET(M)
  • マイクロステンシル
    IRF66ME-25
  • モイスチャー感度レベル
    3
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

OPN
IRF7580MTRPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
MG-WDSON-8
パッケージ名 DirectFET ME
梱包サイズ 4800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MX
ウェハ製造国
MY
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
MG-WDSON-8
パッケージ名 DirectFET ME
梱包サイズ 4800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MX
ウェハ製造国
MY
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利点

  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level)
  • Silicon optimized for applications switching below <100KHz
  • Softer body-diode compared to previous silicon generation
  • Dual-side cooling capability
  • Low package height of 0.7mm
  • Low parasitic (1-2 nH) inductance package
  • 100% lead-free (No RoHS exemption)

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ