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RoHS準拠
鉛フリー

IRF7501

20V Dual N-Channel Power MOSFET in a Micro 8 package
データシート

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IRF7501
IRF7501
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    2.4 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    1.2 W
  • Qgd (typ)
    2.2 nC
  • QG (typ @4.5V)
    5.3 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    135 mΩ
  • RthJA max
    100 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    20 V
  • VGS(th) min
    0.7 V
  • VGS max
    12 V
  • パッケージ
    Micro8 (MO-187)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 極性
    N+N, N+N
OPN
IRF7501TRPBF
製品ステータス obsolete
インフィニオンパッケージ MICRO8
パッケージ名 Micro8 (MO-187)
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス obsolete
インフィニオンパッケージ MICRO8
パッケージ名 Micro8 (MO-187)
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル -
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

機能

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100kHz
  • Low profile package (less than 1.1mm)

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability from distribution partners
  • Industry standard qualification level
  • High performance in low frequency applications
  • Compact form factor

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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